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NDF06N60Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
2000
20
400
1500
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
15
QT
300
V DS
1000
500
C iss
C oss
10
5
Qgs
Qgd
V GS
200
100
0
0
C rss
50
100
150
200
0
0
5
10
15
20
25
T J = 25 ° C
I D = 6 A
30
0
35
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
6
100
V DD = 300 V
I D = 6 A
V GS = 10 V
t d(off)
t r
t f
5
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(on)
3
2
1
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
100
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10
V GS ≤ 30 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 ms
10 m s
dc
1
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
0.01
0.1
1
Package Limit
10
100
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area for NDF06N60Z
http://onsemi.com
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